2018年初，宏杉科技憑借多年的自主研發(fā)能力，把握技術(shù)最新趨勢(shì)，推出了國(guó)內(nèi)首款NVMe全閃存產(chǎn)品MS7000G2-Mach。而今天，宏杉科技將NVMe全閃存陣列系列化，除了高端NVMe全閃存陣列MS7000G2-Mach，還有更注重性價(jià)比、面向企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心的MS5500G2-Mach、NVMe擴(kuò)展柜DSU5625以及NVMeover Fabrics端到端解決方案。

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自此，宏杉科技成為國(guó)內(nèi)將NVMe全閃存產(chǎn)品系列化的存儲(chǔ)企業(yè)，憑借技術(shù)積累和優(yōu)勢(shì)，把握了未來(lái)全閃存的發(fā)展方向，占據(jù)了全閃存技術(shù)的制高點(diǎn)。

NVMe全閃存系列化

面向大規(guī)模在線交易、事務(wù)處理及分析的MS7000G2-Mach

宏杉2018年發(fā)布第一款NVMe全閃存陣列MS7000G2-Mach，存儲(chǔ)控制器采用CPU直連PCIe SSD性能最優(yōu)化的設(shè)計(jì)，支持32Gb FC、100GE NVMe over Fabrics等多種方式與前端主機(jī)連接，保證存儲(chǔ)訪問(wèn)的低延時(shí)、高性能。一經(jīng)推出，即在金融、石油石化等行業(yè)的在線交易處理、在線分析處理，以及高性能計(jì)算和大數(shù)據(jù)分析等對(duì)數(shù)據(jù)訪問(wèn)延時(shí)、高并發(fā)IO有極苛刻要求的場(chǎng)景中得到應(yīng)用。

圖1：MS7000G2-Mach

面向企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心高性價(jià)比的MS5500G2-Mach

為了給用戶提供性能、容量和價(jià)格上的更多選擇，宏杉推出了面向企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心的NVMe全閃存陣列MS5500G2-Mach，雙控后端數(shù)據(jù)交換總帶寬達(dá)到800Gb/s。MS5500G2-Mach配置大容量緩存，支持32Gb FC、100GE NVMeover Fabrics前端主機(jī)連接。以IOPS的高性價(jià)比，適用企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心的高并發(fā)量、高吞吐量業(yè)務(wù)。

圖2：MS5500G2-Mach

NVMe擴(kuò)展柜DSU5625

宏杉科技的NVMe擴(kuò)展柜DSU5625，配置4個(gè)x8 PCIe 3.0接口，通過(guò)光纖連接存儲(chǔ)控制器，2U高度可以擴(kuò)展25塊NVMe SSD，為宏杉全閃存提供NVMe SSD擴(kuò)展能力。

圖3：DSU5625 NVMe擴(kuò)展柜

業(yè)界低延時(shí)的NVMe端到端解決方案

宏杉科技Mach系列NVMe全閃存陣列，隨機(jī)讀寫IOPS達(dá)數(shù)百萬(wàn)，訪問(wèn)延時(shí)低60us。如果采用傳統(tǒng)SAN連接方式，網(wǎng)絡(luò)訪問(wèn)延時(shí)抵消了NVMe全閃存的性能優(yōu)勢(shì)。目前專業(yè)存儲(chǔ)廠商通過(guò)采用NVMe over Fabrics協(xié)議，實(shí)現(xiàn)端到端NVMe解決方案，保證低20us的網(wǎng)絡(luò)低延時(shí)。

宏杉科技在對(duì)比分析了NVMe over Fabrics多種傳輸層協(xié)議之后，選擇了業(yè)界延時(shí)低的RoCE V2協(xié)議用來(lái)構(gòu)建高效的端到端NVMe網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)方案。該方案目前支持100GE、25GE高速以太網(wǎng)，適用的存儲(chǔ)陣列包括Mach全系列閃存陣列，以及MS7000G2、MS5580G2高端全閃存陣列和混合陣列。

圖4：宏杉NVMe over Fabrics端到端解決方案

NVMe全閃存性能優(yōu)勢(shì)明顯

1、低延時(shí)

影響硬盤數(shù)據(jù)訪問(wèn)延時(shí)的三個(gè)因素，分別是存儲(chǔ)介質(zhì)、硬盤控制器和軟件接口標(biāo)準(zhǔn)。

存儲(chǔ)介質(zhì)方面，閃存Flash與傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的差別巨大，既使最新的雙磁臂硬盤也甘拜下風(fēng)。

硬盤控制器方面，PCIe SSD的主控與CPU直接連接，延時(shí)大幅下降。

軟件接口層面，NVMe縮短了CPU到SSD的指令路徑，使用中斷管理減少寄存器的訪問(wèn)次數(shù)；多線程優(yōu)化，減少CPU多核之間的鎖同步操作，提高存儲(chǔ)處理的并行度。

通過(guò)這些革新技術(shù)，基于PCIe和NVMe技術(shù)的SSD比SAS SSD的訪問(wèn)延時(shí)減少了20us，未來(lái)NVMe的目標(biāo)是延時(shí)低于10us。

2、高性能（IOPS、Throughput）

一般來(lái)說(shuō)，IOPS=隊(duì)列深度/IO延時(shí)，隨著隊(duì)列深度增加，IO的延時(shí)也會(huì)提高。高端企業(yè)級(jí)SAS SSD的隊(duì)列深度通常是256，以發(fā)揮SAS SSD的高性能，但這對(duì)支持64k隊(duì)列深度的NVMe來(lái)說(shuō)遠(yuǎn)不解渴。

要想充分發(fā)揮SSD的魔力性能，存儲(chǔ)控制器的CPU性能也必須強(qiáng)大：不僅是多核，還要求單核有足夠的多線程處理性能。與SAS SSD支持一個(gè)隊(duì)列相比，NVMe SSD已經(jīng)支持多個(gè)隊(duì)列，每個(gè)CPU核中的每個(gè)線程可獨(dú)享一個(gè)隊(duì)列。

宏杉科技洞悉全閃存技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先發(fā)布了NVMe全閃存陣列，以高性能、低延時(shí)和完善的可靠性設(shè)計(jì)在金融、石油、政府、教育、醫(yī)療等行業(yè)實(shí)現(xiàn)了不同場(chǎng)景的應(yīng)用部署。目前，宏杉科技已實(shí)現(xiàn)NVMe全閃存產(chǎn)品的系列化，并完善了端到端的NVMe over Fabrics解決方案。未來(lái)，宏杉科技Mach系列產(chǎn)品必將繼續(xù)引領(lǐng)NVMe全閃存陣列發(fā)展。

當(dāng)前標(biāo)題：繼推出國(guó)內(nèi)首款NVMe存儲(chǔ)Mach后宏杉將NVMe全閃從產(chǎn)品到解決方案系列化
新聞來(lái)源：http://m.rwnh.cn/article44/cjhgee.html

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